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半導(dǎo)體制造基本概念

晶圓（Wafer）晶圓（Wafer）的生產(chǎn)由砂即（二氧化硅）開(kāi)始，經(jīng)由電弧爐的提煉還原成冶煉級(jí)的硅，再經(jīng)由鹽酸氯化，產(chǎn)生三氯化硅，經(jīng)蒸餾純化后，透過(guò)慢速分解過(guò)程，制成棒狀或粒狀的「多晶硅」。一般晶圓制造廠，將多···

01 2019-11

鋁電容和鉭電容的區(qū)別

我們用在高頻旁路（去藕）的電容是MLCC電容,也就是多層層級(jí)陶瓷電容。主要是高頻特性好，通過(guò)使用SIPCAP軟件可以方真出其電容的限帶頻點(diǎn)。鉭電容與鋁電容比較如下:電解電容的分類，傳統(tǒng)的方法都是按陽(yáng)極材質(zhì)，比如說(shuō)···

01 2019-11

貼片陶瓷電容的種類和特點(diǎn)

單片陶瓷電容器(通稱貼片電容)是目前用量比較大的常用元件,有取代鉭電容之勢(shì)，有NPO(COG)、X7R、X5R、Y5V等不同的規(guī)格,不同的規(guī)格有不同的用途。就常用的NPO、X7R、X5R和Y5V來(lái)介紹一下它們的性能和應(yīng)用以及采購(gòu)中應(yīng)注···

01 2019-11

貼片電阻

厚膜是采用絲網(wǎng)印刷將電阻性材料淀積在絕緣基體(例如玻璃或氧化鋁陶瓷)上，然后燒結(jié)形成的。我們通常所見(jiàn)的多為厚膜片式電阻，精度范圍±0.5% ~ 10%，溫度系數(shù):±50PPM/℃ ~ ±400PPM/℃。薄膜是在真空中采用蒸發(fā)和···

03 2019-09

貼片電阻的識(shí)別方法

貼片電阻的識(shí)別方法，標(biāo)準(zhǔn)的額電阻的標(biāo)示為473，那么表示方法為：47x10的3次方=47000歐姆=47K歐，470 = 47Ω，471 = 470Ω，472 = 4700Ω = 4.7KΩ， 473 = 47000Ω = 47KΩ。下面我們來(lái)看看常用貼片電阻的識(shí)別方法有···

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鋁電容和鉭電容的區(qū)別

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貼片電阻

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